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        在時間T3，關閉PMOS管，這一動作不會導致脈沖噪聲的產生，因為在此之前PMOS管一直處于打開狀態且沒有電流流過的。同時打開NMOS管，這時傳輸線、地平面、封裝電感Lg以及NMOS管形成一回路，有瞬間電流流過開關B，這樣在芯片內部的地結點處產生參考電平點被抬高的擾動。該擾動在電源系統中被稱之為地彈噪聲（Ground Bounce，我個人讀著地tan）。

實際電源系統中存在芯片引腳、PCB走線、電源層、底層等任何互聯機都存在一定電感值，因此上面就IC級分析的SSN和地彈噪聲在進行Board Level分析時，以同樣的方式存在，而不僅僅局限于芯片內部。

CL20/CBB20圓形軸向金屬化膜電容器非感應式結構，具有電性能優良、可靠性好、耐高溫、體積小、容量大，高頻損耗小,過電流能力強,適用于大電流，絕緣電阻高，自愈性好，壽命長，溫度特性穩定，廣泛用于儀器、儀表及家用電器交直流線路，變頻、分頻等交流、大脈沖電路，尤其是高保真要求的音響分頻器電路。

6. CBBX2（MPX MKP41）金屬化聚丙烯膜抗干擾電容器。采用金屬化鋅鋁聚丙烯膜作介質和電極，用耐高溫阻燃塑殼、環氧樹脂封裝，單向引出結構，該產品有較高抗外電干擾性能，可靠性高、損耗小及良好的自愈特性，有較好的安全防護作用。本產品廣泛使用于彩電、電動工具、無線連接器、跨電源線路、電磁干擾濾波器、電源開關和大功率的電子整流器。

         簡單說明了旁路和退耦之后，我們來看看芯片工作時是怎樣在電源線上產生干擾的。我們建立一個簡單的IO Buffer模型，輸出采用圖騰柱IO驅動電路，由兩個互補MOS管組成的輸出級驅動一個帶有串聯源端匹配電阻的傳輸線（傳輸線阻抗為Z0）。

設電源引腳和地引腳的封裝電感和引線電感之和分別為：Lv和Lg。兩個互補的MOS管（接地的NMOS和接電源的PMOS）簡單作為開關使用。假設初始時 刻傳輸在線各點的電壓和電流均為零，在某一時刻器件將驅動傳輸線為高電平，這時候器件就需要從電源管腳吸收電流。在時間T1，使PMOS管導通，電流從PCB板上的VCC流入，流經封裝電感Lv，跨越PMOS管，串聯終端電阻，然后流入傳輸線，輸出電流幅度為VCC/（2×Z0）。電流在傳輸線網絡上持續一個完整的返回（Round-Trip）時間，在時間T2結束。之后整個傳輸線處于電荷充滿狀態，不需要額外流入電流來維持。當電流瞬間涌過封裝電感Lv時，將在芯片內部的電源提供點產生電壓被拉低的擾動。